مع اقتراب نهاية العام يتطلع محبو التقنيات إلى ما سيقدمه عام 2017، ومن المتوقع أن تبدأ سامسونج العام القادم عبر سلسلة أجهزة جالاكسي اس 8، وقد أوضحت شائعات نشرت مؤخراً أن جالاكسي اس 8 و اس 8 ايدج سيتمتعان بذاكرة وصول عشوائي بحجم 6 جيجابايت وسعة تخزين داخلية بحجم 256 جيجابايت.

ومن الجدير بالذكر أن الإصدار الحالي من جالاكسي اس 7 واس 7 ايدج يتمتعان بسعة تخزين داخلية بحجم 32 جيجابايت والتي تعتبر منخفضة رغم وجود دعم لبطاقات الذاكرة الخارجية، ووفقا لأحد مصادر موقع Weibo الشهير فإن اس 8 سيوفر سعة تخزينية بحجم 256 جيجابايت دون معرفة ما إذا كان هناك دعم لبطاقات الذاكرة الخارجية أم لا.

ولم يلق قرار سامسونج في التخلي عن دعم بطاقات الذاكرة الخارجية في سلسلة أجهزة جالاكسي اس 6 رضى لدى المستخدمين كما أن إعادة إحياء بطاقات الذاكرة هذه في سلسلة أجهزة جالاكسي اس التي أطلقت هذا العام جاء على حساب سعة التخزين الأساسية، ولذا فإن وجود سعة تخزين أساسية بحجم 256 جيجابايت سيكون كافياً للمستخدمين في حال قررت الشركة مجدداً عدم دعم بطاقات الذاكرة.

وإضافة لذلك أوضحت التسريبات أن اس 8 قد يتمتع بذاكرة وصول عشوائي بحجم 6 جيجابايت، ورغم أن وجود ذاكرة عالية يعد أمراً جيداً إلا أنها لا تعد مفيدة تماماً إن لم يتم تطبيقها والاستفادة منها بشكل صحيح، وتسعى سامسونج جاهدة لإبهار مستخدميها بأجهزتها الجديدة ويبدو أنها تأمل أن تترجم زيادة ذاكرة الوصول العشوائي إلى أداء فعال أكبر في الواقع.

أخيراً، رجحت الشائعات الأخيرة إمكانية وجود إصدارين من جالاكسي اس 8 الأمر الذي لا يعد مفاجئاً نظراً لأن ذلك ما فعلته الشركة في العام الماضي، وقد سمعنا مؤخراً أن أجهزة جالاكسي اس 8 ستكون من أوائل الأجهزة التي ستتمتع بمعالج Snapdragon 835 الجديد، ومع احتمال إضافة التقنية الحساسة للضغط للشاشة والتحسينات الجديدة للكاميرا يبدو أن جالاكسي اس 8 سيكون من أفضل الهواتف الرائدة في العام المقبل.